台系AOS,UP,国产华润微，新洁能，华羿微，长电长晶等厂家均可生产宽耐压系列，低导通电阻Rds（on） 和低栅极电荷 （Qg）的MOS管产品，我司可结合客户设计方案，从以上代理品牌中推荐更合适参数及成本要求的MOS管产品。

BLDC电机驱动领域，常用到30V-100V的分立式MOSFET，通常在给定尺寸下，NMOS管具有等效P沟道器件的一半Rds（on），因此在电机驱动应用中通常指定N沟道MOSFET。对于使用12V电源运行的 BLDC，40V 的击穿电压就足够。同样，在 24V 系统中，击穿电压为 60V 的 MOSFET 将提供足够的保护。考虑漏源电流额定值也很重要，特别是在浪涌或脉冲条件下，在 BLDC 应用中，启动或失速电流可能超过满载电流的三倍。

在锂电保护板中，通常使用两个MOS管做为开关来控制系统的充放电，此时MOS管的可靠性和低内阻Rds（on）尤为重要，更多小型化封装产品对于便携式设备及移动电源也能节约空间。同时在锂电保护IC上，我司代理台湾纮康( HYCON )品牌，常用型号为 HY2111,HY2112,HY2212,HY2215 等更多详细参数及技术方案请联系我司。